一霍爾效應的發(fā)現

　　霍爾效應在1879年被美國物理學(xué)家霍爾發(fā)現，當電流通過(guò)一個(gè)位于磁場(chǎng)中的導體的時(shí)候，導體中會(huì )產(chǎn)生一個(gè)與電流方向及磁場(chǎng)方向均垂直的電勢差。且電勢差的大小與磁感應強度的垂直分量及電流的大小成正比。在半導體中，霍爾效應更加明顯。

二霍爾效應的原理

　　霍爾效應從本質(zhì)上講是運動(dòng)的帶電粒子在磁場(chǎng)中受洛侖茲力作用而引起的偏轉。當帶電粒子（電子或空穴）被約束在固體材料中，這種偏轉就導致在垂直電流和磁場(chǎng)方向上產(chǎn)生正負電荷的聚積，從而形成附加的橫向電場(chǎng)，即霍爾電場(chǎng)E_H。
　　電流I_S通過(guò)N型或P型霍爾元件，磁場(chǎng)B方向與電流I_S方向垂直，且磁場(chǎng)方向由內向外，對于N型半導體及P型半導體，分別產(chǎn)生的方向如左圖和右圖的霍爾電場(chǎng)E_H（據此，可以判斷霍爾元件的屬性——N型或P型）。

　　霍爾電勢差EH阻止載流子繼續向側面偏移，當載流子所受的橫向電場(chǎng)力F_E與洛侖茲力F_B相等時(shí)，霍爾元件兩側電荷的積累就達到動(dòng)態(tài)平衡。
　　由于：

　　F_E=eE_H，F_B=evB，

　　因此：

　　eE_H=eVB　　　　　　　　　　　　　　　　　　 （1）
　　設試樣的寬為b，厚度為d，載流子濃度為n ，則：

　　I_S=nevbd　　　　　　　　　　　　　　　　　?。?）
　　由（1）、（2）式可得：
　　霍爾電勢差U_H=E_Hb=(1/ne)(I_SB/d)=RH(I_SB/d)
　　RH=1/ne是材料的霍爾系數，它是反映材料霍爾效應強弱的重要參數。
　　對于固定霍爾元件，厚度d固定，記K_H為霍爾元件的霍爾系數，可得：

　　U_H=K_HI_SB　　　　　　　　　　　　　　　　　?。?）

　　即：霍爾電勢差UH與電流IS及磁感應強度B成正比。

三霍爾效應的應用

　　利用霍爾效應，可以制作開(kāi)關(guān)傳感器及線(xiàn)性傳感器。開(kāi)關(guān)型霍爾傳感器廣泛應用于位置、位移及轉速測量，線(xiàn)性型霍爾傳感器廣泛應用于磁場(chǎng)及電流、電壓的測量。

　　近年來(lái)，以非工頻、非正弦為主要特征的變頻電量的測量需求越來(lái)越大，由于電磁式互感器的頻率適用范圍較窄，相比之下，霍爾電壓、電流傳感器的適用頻帶較寬，且可以用于直流測量，其市場(chǎng)前景廣闊。

　　然而，對于復雜電磁環(huán)境下的變頻電量的精確測量，由于霍爾傳感器對磁場(chǎng)較敏感，應用時(shí)需要特別注意。此外，由于霍爾電壓、電流傳感器主要用于以控制為目的的電壓、電流的測量，廠(chǎng)家一般不提供對功率測量至關(guān)重要的角差指標，對于需要精確測量功率的場(chǎng)合，需謹慎使用。

　　國家變頻電量測量?jì)x器計量站對部分常用型號的霍爾電壓、電流傳感器進(jìn)行了抽檢，50Hz時(shí)，其角差指標在20′~240′之間，相比于0.2級電磁式互感器的10′而言，角差指標較差，對于低功率因數的場(chǎng)合，對功率測量的準確度影響較大。

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