TMR效應基于電子的自旋效應，在磁性釘扎層和磁性自由層中間間隔有絕緣體或半導體的非磁層的磁性多層膜結構，由于在磁性釘扎層和磁性自由層之間的電流通過(guò)基于電子的隧穿效應，因此稱(chēng)這一多層膜結構稱(chēng)為磁性隧道結（MTJ, Magnetic Tuunel Junction）。這種磁性隧道結在橫跨絕緣層的電壓作用下，其隧道電流和隧道電阻依賴(lài)于兩個(gè)鐵磁層（磁性釘扎層和磁性自由層）磁化強度的相對取向。當磁性自由層在外場(chǎng)的作用下，其磁化強度方向改變，而釘扎層的磁化方向不變，此時(shí)兩個(gè)磁性層的磁化強度相對取向發(fā)生改變，則可在橫跨絕緣層的的磁性隧道結上觀(guān)測到大的電阻變化，這一物理效應正是基于電子在絕緣層的隧穿效應，因此稱(chēng)為隧道磁電阻效應（TMR ，Tunneling Magnetoresistance ）。也就是說(shuō)TMR磁傳感器是利用磁場(chǎng)的變化來(lái)引起磁電阻變化，另一方面，我們可以通過(guò)觀(guān)測TMR磁傳感器的電阻變化來(lái)測量外磁場(chǎng)的變化。所以我們可以認為T(mén)MR傳感器就是一個(gè)電阻，只是TMR傳感器的電阻值隨外加磁場(chǎng)值的變化，其阻值發(fā)生改變。

01TMR線(xiàn)性磁傳感器

02TMR電流傳感器

03TMR角度傳感器